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光电子技术基础考试题

试题 时间:2021-08-31 手机版

  光电子技术,大家知道是什么技术?有哪些基础知识大家是知道的?

  一、选择题

  1.光通量的单位是( B ).

  A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯

  2. 辐射通量φe的单位是( B )

  A 焦耳 (J) B 瓦特 (W) C每球面度 (W/Sr) D坎德拉(cd)

  3.发光强度的单位是( A ).

  A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯

  4.光照度的单位是( D ).

  A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯

  5.激光器的构成一般由( A )组成

  A.激励能源、谐振腔和工作物质 B.固体激光器、液体激光器和气体激光器

  C.半导体材料、金属半导体材料和PN结材料 D. 电子、载流子和光子

  6. 硅光二极管在适当偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且动态范围较大。适当偏置是 (D)

  A 恒流 B 自偏置 C 零伏偏置 D 反向偏置

  7.2009年10月6日授予华人高锟诺贝尔物理学奖,提到光纤以SiO2为材料的主要是由于( A )

  A.传输损耗低 B.可实现任何光传输 C.不出现瑞利散射 D.空间相干性好

  8.下列哪个不属于激光调制器的是( D )

  A.电光调制器 B.声光调制器 C.磁光调制器 D.压光调制器

  9.电光晶体的非线性电光效应主要与( C )有关

  A.内加电场 B.激光波长 C.晶体性质 D.晶体折射率变化量

  10.激光调制按其调制的性质有( C )

  A.连续调制 B.脉冲调制 C.相位调制 D.光伏调制

  11.不属于光电探测器的是( D )

  A.光电导探测器 B.光伏探测器 C.光磁电探测器 D.热电探测元件

  12.CCD 摄像器件的信息是靠( B )存储

  A.载流子 B.电荷 C.电子 D.声子

  13.LCD显示器,可以分为( ABCD )

  A. TN型 B. STN型 C. TFT型 D. DSTN型

  14.掺杂型探测器是由( D )之间的电子-空穴对符合产生的,激励过程是使半导体中的载

  流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。

  A.禁带 B.分子 C.粒子 D.能带

  15.激光具有的优点为相干性好、亮度高及( B )

  A色性好 B单色性好 C 吸收性强 D吸收性弱

  16.红外辐射的波长为( D ).

  A 100-280nm B 380-440 nm C 640-770 nm D 770-1000 nm

  17.可见光的波长范围为( C ).

  A 200—300nm B 300—380nm C 380—780nm D 780—1500nm

  18.一只白炽灯,假设各向发光均匀,悬挂在离地面1.5m的高处,用照度计测得正下方地面

  的照度为30lx,该灯的光通量为( A ).

  A .848lx B .212lx C .424lx D .106lx

  19.下列不属于气体放电光源的是( D ).

  A .汞灯 B .氙灯 C .铊灯 D .卤钨灯

  20.LCD是( A )

  A.液晶显示器 B.光电二极管 C.电荷耦合器件 D.硅基液晶显示器

  21.25mm的视像管,靶面的有效高度约为10mm,若可分辨的最多电视行数为400,则相当于( A )线对/mm.

  A.16 B.25 C.20 D.18

  22. 光电转换定律中的光电流与 ( B ) .

  A 温度成正比 B光功率成正比 C暗电流成正比 D光子的能量成正比

  23. 发生拉曼—纳斯衍射必须满足的条件是( A )

  A 超声波频率低,光波平行声波面入射,声光作用长度短

  B 超声波频率高,光波平行声波面入射,声光作用长度短

  C 超声波频率低,光波平行声波面入射,声光作用长度长

  D 超声波频率低,光束与声波面间以一定角度入射,声光作用长度短

  24.光束调制中,下面不属于外调制的是 ( C )

  A 声光调制 B 电光波导调制 C 半导体光源调制 D 电光强度调制

  25.激光具有的优点为相干性好、亮度高及 ( B )

  A 多 色性好 B单色性好 C 吸收性强 D吸收性弱

  26.能发生光电导效应的半导体是 ( C )

  A本征型和激子型 B本征型和晶格型 C本征型和杂质型 D本征型和自由载流子型

  27.电荷耦合器件分 ( A )

  A 线阵CCD和面阵CCD B 线阵CCD和点阵CCD

  C 面阵CCD和体阵CCD D 体阵CCD和点阵CCD

  28.电荷耦合器件的工作过程主要是信号的产生、存储、传输和( C )

  A 计算 B 显示 C 检测 D 输出

  29.光电探测器的性能参数不包括(D)

  A光谱特性 B光照特性 C光电特性 D P-I特性

  30.光敏电阻与其他半导体电器件相比不具有的特点是(B)

  A.光谱响应范围广 B.阈值电流低 C.工作电流大 D.灵敏度高

  31.关于LD与LED下列叙述正确的是(C)

  A. LD和LED都有阈值电流 B .LD调制频率远低于LED C. LD发光基于自发辐射

  D .LED可发出相干光

  32.光敏电阻的光电特性由光电转换因子描述,在强辐射作用下(A )

  A. ?=0.5 B.? =1 C. ?=1.5 D. ?=2

  33.硅光二极管主要适用于[D]

  A紫外光及红外光谱区 B可见光及紫外光谱区 C可见光区 D 可见

  光及红外光谱区

  34.硅光二极管主要适用于[D]

  A紫外光及红外光谱区 B可见光及紫外光谱区 C可见光区 D 可见

  光及红外光谱区

  35.光视效能K为最大值时的波长是(A )

  A.555nm B.666nm C.777nm D.888nm

  36. 对于P型半导体来说,以下说法正确的是 (D)

  A 电子为多子 B 空穴为少子

  C 能带图中施主能级靠近于导带底 D 能带图中受主能级靠近于价带顶

  37. 下列光电器件, 哪种器件正常工作时需加100-200V的高反压 (C)

  A Si光电二极管 B PIN光电二极管 C 雪崩光电二极管 D 光电三极管

  38. 对于光敏电阻,下列说法不正确的是: (D)

  A 弱光照下,光电流与照度之间具有良好的线性关系

  B 光敏面作成蛇形,有利于提高灵敏度

  C 光敏电阻具有前历效应

  D 光敏电阻光谱特性的峰值波长,低温时向短波方向移动

  39. 在直接探测系统中, (B)

  A 探测器能响应光波的波动性质, 输出的电信号间接表征光波的振幅、频率和相位

  B 探测器只响应入射其上的平均光功率

  C 具有空间滤波能力

  D 具有光谱滤波能力

  40. 对于激光二极管(LD)和发光二极管(LED)来说,下列说法正确的是(D)

  A LD只能连续发光 B LED的单色性比LD要好

  C LD内部可没有谐振腔 D LED辐射光的波长决定于材料的禁带宽

  41. 对于N型半导体来说,以下说法正确的是 (A)

  A 费米能级靠近导带底 B 空穴为多子

  C 电子为少子 D 费米能级靠近靠近于价带顶

  42. 依据光电器件伏安特性, 下列哪些器件不能视为恒流源: (D)

  A 光电二极管 B 光电三极管

  C 光电倍增管 D 光电池

  43. 硅光二极管在适当偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且动态范围较大。适当偏置是 (D)

  A 恒流 B 自偏置 C 零伏偏置 D 反向偏置

  44. 有关热电探测器, 下面的说法哪项是不正确的(C)

  A 光谱响应范围从紫外到红外几乎都有相同的响应

  B 响应时间为毫秒级

  C 器件吸收光子的能量, 使其中的非传导电子变为传导电子

  D 各种波长的辐射对于器件的响应都有贡献

  45. 为了提高测辐射热计的电压响应率,下列方法中不正确的是 (D)

  A 将辐射热计制冷 B 使灵敏面表面黑化

  C 将辐射热计封装在一个真空的外壳里 D 采用较粗的信号导线

  46.光谱光视效率V(505nm)=0.40730,波长为505nm、1mW的辐射光,其光通量 为

  A 683lm B 0.683lm C 278.2 lm D 0.2782 lm (D)

  47. 下列探测器的光-电响应时间,由少数载流子的寿命决定: (A)

  A 线性光电导探测器 B 光电二极管

  C 光电倍增管 D 热电偶和热电堆

  48. 给光电探测器加合适的偏置电路,下列说法不正确的是 (A )

  A 可以扩大探测器光谱响应范围 B 可以提高探测器灵敏度

  C 可以降低探测器噪声 D 可以提高探测器响应速度

  49. 下列光源中哪一种光源,可作为光电探测器在可见光区的积分灵敏度测量标准光源: (C)

  A 氘灯 B 低压汞灯

  C 色温2856K的白炽灯 D 色温500K的黑体辐射器

  50. 克尔效应属于 (A)

  A 电光效应 B 磁光效应

  C 声光效应 D 以上都不是

  51. 海水可以视为灰体。300K的海水与同温度的黑体比较(A)

  A 峰值辐射波长相同 B 发射率相同

  C 发射率随波长变化 D 都不能确定

  52. 下列探测器最适合于作为光度量测量的探测器 (C)

  A 热电偶 B 红外光电二极管

  C 2CR113蓝硅光电池 D 杂质光电导探测器


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